Памяти великого человека... » ..::Wireless Ukraine::..
 
 
WU#1 WU#2 WU#3 WU#4 WU#5 WU#6 WU#7 WU#8
 


Главная     Статьи     Наши награды Новости от НКРСИ     Мировые Новости     Входящие письма     Исходящие письма     Сотрудничество     Фотогалерея     Подписка     Полезные ссылки Контакты



 
Памяти великого человека...

Памяти великого человека...

Видный ученый в области электроники сверхвысоких частот и радиофизики, профессор, доктор технических наук, член-корреспондент Национальной Академии наук Украины, Лауреат Государственной премии Украины и СССР в области науки и техники, основатель отечественной школы по созданию широкого класса приборов, устройств и систем микромощной электроники, автор многих монографий, научных работ и изобретений.

Л.Г.Гассанов окончил Киевский политехнический институт в 1959 году. Начало его инженерной и научной деятельности относится ко второй половине 50-х годов. Сначала он работал в НИИ «Орион» (г. Киев), а с мая 1974 года был назначен директором НИИ «Сатурн», которым руководил до декабря 1991 года.

В 1974 г. благодаря достижениям в технологии производства арсенид-галлиевых полупроводников СВЧ приборов выявилась возможность создания приемно-усилительных систем при умеренном охлаждении или термостатировании основных узлов с шумовыми параметрами большими, чем при глубоком охлаждении, но достаточными для работы во многих радиоэлектронных комплексах. Это привело к расширению тематики предприятия.

Готовность производительной базы к началу выпуска новых изделий еще не означала готовности самих разработок. Сложность заключалась, прежде всего, что ни один НИИ в стране не имел опыта разработки на арсениде галлия. В основном в стране разрабатывались на кремнии и германии по устоявшейся технологии, при этом воспроизводились изделия, как правило, уже разработанные за рубежом. Естественно, что кроме производственного был и психологический барьер – неуверенность в возможности их серийного производства.

Преодоление этого барьера, т.е. освоение изделий, осуществлялась под руководством и при непосредственном участии Л.Г.Гассанова, который всегда был готов разделить ответственность за неудачу с разработчиками.

С 1977 г. в НИИ начались разработки транзисторных СВЧ-усилителей, которые в будущем позволили практически отказаться от применения параметрических усилителей. Транзисторные усилители разрабатывались на собственной элементной базе, причем наши полевые арсенид-галлиевые транзисторы были лучшими в стране по шумовым характеристикам.

Инициатором такого решительного, но рискованного шага был Гассанов Л.Г., который сумел решить в Министерстве вопрос о включении в тематический план ОКР «Обиход» - первой работы из последовавших за ней многочисленных разработок приемно-усилительных систем с термостатированием или умеренным охлаждением основных узлов. Эти системы, по сравнению с криоэлектронными, позволяли резко снизить массогабаритные характеристики, повысить эксплуатационную надежность, уменьшить стоимость и значительно расширить область применения: как в уникальных радиоастрономических комплексах, типа РАТАН-600, РТ-70, так и в широком спектре приемных станций спутникового телевидения в глухих заполярных поселках, пограничных заставах, а также в советских учреждениях и воинских частях.

В связи с относительным сокращением работ по криоэлектронным системам глубокого охлаждения появилась возможность начать работы по криомедицинским установкам и вообще по медицинской тематике, а также по разработке и производству товаров народного потребления.

Работы НИИ «Сатурн» не остались без внимания многих известных ученых страны, высшего командного состава армии и КГБ, партийных и государственных деятелей. В разные годы НИИ «Сатурн» посетили академик АН СССР, лауреат Нобелевской и Ленинской премий Прохоров А.М., академик АН СССР, Президент АН УССР, лауреат Ленинской премии Патон Б.Е., лауреат Ленинской премии Девятков Н.Д., академики АН СССР Вул Б.М., Алферов Ж.И. (ныне - лауреат Нобелевской премии) Гуляев Ю.В., Сагдеев Р.З. (директор ИКИ АН СССР), член-корреспондент АН СССР Сифоров В.И., академики УАН УССР Шестопалов В.П., Писаренко Г.С, Глушков В.М. Барьяхтар В.Г., Маршал войск связи Белов А.И., генерал-полковник Емахонов Н.П., генерал-лейтенанты Мыльцев А.А. и Кобец К.И., летчик-космонавт СССР Волынов Б.В., руководители ряда Министерств, НИИ и промышленных предприятий страны.

Кстати сказать, Сидоров В.И. – автор классического учебника по радиоприемным устройствам, в 50-е годы утверждал, что шумовая температура радиоприемного устройства не может быть ниже физической (т.е. окружающей) температуры. Под влиянием результатов работы «Сатурна» с учетом технологических достижений микроэлектроники Сидоров В.И. изменил свое мнение по этому вопросу.

За период с 1975 по 1980 гг. было создано более 100 типов новых изделий электронной техники, выполнено 20 правительственных заданий по разработке и промышленному выпуску новейших изделий с параметрами, соответствующими зарубежному уровню и превышающими его в ряде случаев.

На основе новейших достижений науки и техники сверх плана за 8 месяцев 1977 г. «впервые на Борщаговке», как шутил Л.Г.Гассанов, был разработан экспериментальный образец аппаратуры «Электроника-связь» для нового поколения магистральных радиорелейных линий связи. Габариты, масса, энергопотребление этой аппаратуры были примерно в 50 раз меньше аналогичных параметров действующей в то время аппаратуры «Рассвет». Этой работой положено начало развитию в НИИ нового направления по разработке аппаратуры РРЛ.

В 1976-1980гг. были разработаны и частично освоены в производстве изделия медицинского направления, ряд товаров народного потребления, дистанционный измеритель скорости автотранспорта, изделия для сельского хозяйства, в т.ч. биотермостаты для применения при искусственном осеменении крупного рогатого скота.

К 1980 г. в НИИ и на заводе в Киеве было в основном закончено создание технологических участков, спецтехнологических лабораторий, энергетических объектов, необходимых для серийного производства изделий и изготовления опытных образцов. Все подразделения были укомплектованы необходимыми кадрами инженеров и рабочих из числа выпускников ВУЗов, техникумов, ПТУ и перешедших на работу в «Сатурн» с других подразделений г. Киева. Не сразу и не вдруг сложился работоспособный коллектив, возникали большие проблемы при вводе в эксплуатацию новой техники и внедрении новых технологических процессов.

Специалисты НИИ всегда очень внимательно изучали публикации в иностранных журналах по микроволновой технике и электронике. Эти публикации иногда просто поражали воображение высоким уровнем достижений, в т.ч. и по профилю предприятия. Конечно же, уровень развития радиоэлектроники в США, Японии и в отдельных европейских странах в целом был выше, чем в СССР, но в отдельных направлениях, в т.ч. по малошумящим СВЧ-усилительным устройствам, благодаря «Сатурну», этот разрыв был к 1985 году незначительным.

Вся научно-техническая и производственно-технологическая работа в НИИ «Сатурн» под руководством Гассанова Л.Г. была направлена на решение двух главных задач:

1. Опережающее развитие закрепленного на предприятии научно-технического направления по сравнению с зарубежным уровнем.

2. Сокращение деятельности цикла «Наука-производство».

Особое внимание Л.Г.Гассанов уделял воспитанию молодых ученых и инженеров. Он не боялся поручать выполнение сложных и почти безнадежных по результату работ молодым специалистам, при этом иногда говорил в узком кругу: «Они по молодости лет не знают, что получить заданные параметры невозможно, поэтому получают их». Одержимость в работе, нестандартный подход к решению поставленных задач породили для характеристики работников «Сатурна» сначала иронический, а потом и доброжелательный эпитет «Сатурноватые».

По инициативе Л.Г.Гассанова и при полной поддержке руководства КПИ была выработана четкая система подготовки студентов КПИ для работы в «Сатурне» по схеме: производственная практика – преддипломная практика – защита дипломного проекта – трудоустройство в НИИ «Сатурн». Особо тесный контакт в научной и учебной работе был с факультетом электроники КПИ (декан факультета профессор Якименко Ю.И).

К 1985 г. коллектив предприятия завоевал прочный авторитет в стране. Изделия НИИ «Сатурн» определяли во многих случаях научно-технический уровень и боеспособность важнейших военных объектов: «Звезда», «Корунд», «Кристалл», «Ливень», систем дальней космической связи в проектах «Венера-15», «Венера-16», «Вега», системы спутникового телевидения «Москва», танкового радиолокатора в диапазоне частот 94 ГГц, малошумящей приемно-усилительной системы «Эритрин» в диапазоне частот 58-64 ГГц для межспутниковой связи, уникального бортового радиометрического комплекса в диапазоне частот 22 – 118 ГГц и др. Это свидетельствовало о правильности выбранного направления и высоком потенциале предприятия.

Можно сказать, что к 1986 году коллектив предприятия преодолел многочисленные трудности разработки и производства новейшей техники и вышел на уровень развития, запланированный к 20-летию своей деятельности. При этом руководство понимало новые перспективные задачи, которые органично возникали на основе полученных к тому времени выдающихся достижений отечественной и зарубежной электроники. Прежде всего, следует вспомнить о появлении на зарубежном рынке принципиально новых СВЧ приборов из Японии – НЕМТ, или транзисторов с высокой подвижностью электронов, которые в десятки раз превосходили по своим параметрам все американские и советские аналоги. Применение этих транзисторов в приемных устройствах по профилю «Сатурна» позволило бы коренным образом изменить образ наших изделий, уменьшить во много раз массу и габариты, повысить надежность и снизить стоимость. К сожалению, в те годы зарубежные комплектующие изделия, материалы, измерительное и технологическое оборудование для электроники наша страна покупать не могла, все попытки заключить контакт на поставку стратегических товаров блокировалась специальным комитетом правительства США (КОКОМ). Холодная война продолжалась. Оставался, как и раньше во многих случаях, один путь - догонять японцев собственными силами. Проблема производства НЕМТ-транзисторов была важной, но не единственной. Необходимо было развить также производство сверхскоростных (ССИС) и сверхбольших (СБИС) монолитных (МИС) интегральных схем для построения сверхбыстродействующих компьютеров и оптоэлектронных комплексов. Для выполнения этой колоссальной задачи требовалось коренное перевооружение технологической и энергетической базы предприятия на самом современном уровне. К примеру, нужны были производственные помещения класса чистоты 100 по требованиям электронной гигиены, т.е. с допустимым количеством посторонних частиц размером 0,5 – 5,0 микрон в 1 л воздуха не более 3,5 или 0,35 (класс чистоты – 10), при этом точность поддержания температуры на уровне 20 – 24оС должна быть в пределах 0,1 – 0,2оС.

В кратчайшие сроки был сооружен так называемый „чистый модуль” как первенец будущего технологического комплекса со своей собственной материаловедческой базой для выращивания арсенид-галлиевых структур методами молекулярно-лучевой и гибридной эпитаксии (МЛЭ и МОС). Для этих целей была произведена реконструкция энергетического оборудования, в том числе азотной станции, станции осушки и очистки газов, станции деионизованной воды, компрессорной станции и др. объектов для обеспечения в будущем технологического корпуса всеми видами энергоносителей.

Несмотря на очередные совсем неожиданные трудности, связанные с перестройкой в стране, „Сатурн” продолжал работать. Были поставлены серьезные работы по унификации изделий, по разработке «рядов изделий» в рамках одной ОКР, комплекса оборудования для радиорелейных линий связи, местного телевещания, по разработке и производству сложнейших радиоэлектронных изделий для укрепления обороны страны, развития дальней космической связи, радиоастрономии, спутникового телевидения, медицины и другим отраслям народного хозяйства. Развертывались серьезные работы в области компьютерной техники, монолитных СВЧ арсенид-галлиевых устройств, автоматизированного проектирования и др.

На заседании Президиума АН УССР 06.09.89г. был рассмотрен совместный доклад д.т.н. Палагина А.В. (Институт кибернетики АН УССР) и д.т.н. Гассанова Л.Г. (НПО „Сатурн”) „Высокопроизводительная интеллектуальная вычислительная система с активной коммутационной средой”, в котором предлагалось развернуть работы по созданию суперЭВМ с производительностью 1 миллиард операций в секунду, что по тем временам выглядело почти фантастикой. Обсуждение и предварительная экспертиза показали, что предлагаемый проект построения суперЭВМ является оригинальным, не имеющем зарубежных аналогов и носит приоритетный характер, что и было зафиксировано в постановлении Президиума. Это была оригинальная революционная идея создания многопроцессорной вычислительной системы с беспроводной радиосвязью между процессорами на основе СВЧ-радиоканалов со сверхширокой (более 5000 МГц) полосой. К сожалению, в государственном масштабе такие работы развернуты не были – времена настали другие.

В 1979 году за комплекс работ по созданию новых радиотехнических комплексов Л.Г.Гассанов стал лауреатом Государственной премии СССР в области науки и техники, а в 1984 году за разработку физико-технологических основ повышения качества и надежности полупроводниковых СВЧ приборов - лауреатом Государственной премии Украины в области науки и техники.

По совокупности научных достижения с учетом большого вклада в развитие советской науки Генеральный директор НПО „Сатурн”, д.т.н., проф. Гассанов Л.Г. 1989 г. был избран членом-корреспондентом АН УССР. Ему присвоено почетное звание «Почетный радист».

Гассанов Л.Г. до последних дней своей жизни (27.02.2002г.) являлся профессором факультета электроники Национального технического университета Украины «Киевский политехнический институт», членом редколлегии журнала «Электроника и связь».

Список научных трудов Льва Гассановича Гассанова включает более 300 работ, пять из которых – фундаментальные монографии по микроволновым малошумящим устройствам и телекоммуникационным системам.

Профессора Л.Г.Гассанова отличали широкий диапазон научно-технических интересов и эрудиция.

Работы, начатые профессором Л.Г.Гассановым, успешно продолжаются во многих коллективах. Его ученики развивают такие направления, как теория и разработка малошумящих СВЧ-приборов, разработка и производство радиорелейного оборудования, разработка и исследование эффективной системы спутниковой связи, радиоастрономии, радиолокации и медицины, исследование и создание новейших микроволновых телекоммуникационных систем на принципах микромощной электроники и диэлектроники с использованием достижений нанотехнологии.


  • Nokia Siemens Networks и Научно-производственная фирма «Микран» создают сов ...
  • Административному управлению РЧР можно научиться
  • Интернет вещей – тенденции и проблемы в области стандартизации
  • В России запущено первое производство LTE-оборудования
  • Nokia Siemens Networks заявляет об участии в новом российском «Иннограде»
  • Связь в столичном местро станет бесперебойной?
  • УГЦР - лауреат специальной премии за достижения в ГИС-технологиях
  • Утверждены правила поступления в учебное заведение Госспецсвязи
  • 5G: Европа, Китай, Япония
  • НКРСИ рассмотрела результаты деятельности УГЦР во втором квартале 2013 года
  •  























    Украинская Баннерная Сеть


    www.tetra.net.ua



    free counters



    журнал Wireless Ukraine

    © Wireless Ukraine 2012